Архив за июня, 2012


Вот мы и подошли к уроку, с которого начинается старт во «взрослую жизнь» т. к. именно с этого урока вы сможете полноценно и с пониманием предметной области начинать паять простейшие конструкции. И для успешной сборки и наладки этих конструкций, очень важно четко понимать какую функцию в этой схеме выполняет тот, или иной радиоэлемент, какие параметры нужно проконтролировать и т. д. 

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p — n — р. У транзистора структуры n — p — n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними — область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p - n - p и n - p - n.

Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p — n — p и n — p — n.

Если мысленно прикрыть любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на (рис.1). Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу. Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область — эмиттером, вторую крайнюю область — коллектором. Это три электрода транзистора. Во время работы транзистора его эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в транзисторе структуры p — n — р) или электроны (в транзисторе структуры n — p — n), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером. Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p — n — р транзисторах она обращена в сторону базы, а в n — p — n транзисторах — от базы. Электронно — дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры p — n — р, берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — э миттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными. Запомни наименования р — n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный. Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на (рис. 2). Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква (М) в обозначении говорит о том, что корпус транзистора холодносварной, буква (П) — первоначальная буква слов «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разницу в параметрах транзистора данной серии. Существуют другие способы изготовления транзисторов, например, диффузионно — сплавной (рис. 3). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 — левый) эмиттерную область.


Устройство и конструкция сплавного и диффузионно - сплавного транзистора структуры p - n - p.

Рис. 2 — Устройство и конструкция сплавного слева и диффузионно — сплавного справа транзистора структуры p — n — p.

В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р — n перехода, образующие транзистор структуры р — n — р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308. В настоящее время действует система обозначения транзисторов, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И.

  • Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) — характеризует полупроводниковый материал транзистора и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) — кремниевым транзисторам, буква А (или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше 4- 60°С, кремниевый — выше +85°С).
  • Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
  • Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в таблице.
  • Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность транзисторов данной серии.

Удобная таблица для запоминания характеристик транзистора по частоте, мощности.

Вот некоторые примеры расшифровки обозначений транзисторов по этой системе : ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А; ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г; КТЗ15В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В. Наряду с такой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения транзисторов, например П27, П401, П213, МП39 и т.д. Объясняется это тем, что такие или подобные транзисторы были разработаны до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Внешний вид некоторых биполярных транзисторов, наиболее широко используемых радиолюбителями, показан на (рис. 4). Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р — n — р) имеет в диаметре всего 3, 4 мм. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах т.д. Диаметр транзисторов ГТ309 (р — n — р) 7,4 мм. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы КТЗ15 (n — p — n) выпускают в пластмассовых корпусах. Эти маломощные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы МП39 — МП42 (р — n — р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры n — p — n, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм. Наиболее широко их используют в усилителях звуковой частоты. Так выглядят и маломощные высокочастотные р — n — р транзисторы серий П401 — П403, П416, П423, используемые для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и любительских радиовещательных приемниках. Транзистор ГТ402 (р — n — р) — представитель низкочастотных транзисторов средней мощности. Такую же конструкцию имеет его «близнец» ГТ404, но он структуры (n — p — n). Их, обычно используют в паре, в каскадах усиления мощности колебаний звуковой частоты. Транзистор П213 (германиевый структуры р — n — р) — один из мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Во время работы они нагреваются, поэтому их обычно ставят на специальные теплоотводящие радиаторы, увеличивающие поверхности охлаждения. КТ904 — сверхвысокочастотный кремниевый n — p — n транзистор большой мощности. Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом М5, с помощью которого транзистор крепят на теплопроводящем радиаторе. Функцию радиатора может выполнять массивная металлическая пластина или металлическое шасси радиотехнического устройства. Высота транзистора вместе с выводами и крепежным винтом чуть больше 20 мм. Транзисторы этой серии предназначаются для генераторов и усилителей мощности радиоаппаратуры, работающей на частотах выше 100 МГц, например диапазона УКВ.

Внешний вид некоторых транзисторов

Рис. 4 Внешний вид некоторых транзисторов.

Очень важно получать информацию с разной подачей. Чтобы закрепить материал, и усвоить все более глубоко, советую вам просмотреть замечательный обучающий фильм:




теги:


Обмотка якоря машины постоянного тока представляет собой зам­кнутую систему изолированных проводников, определенным образом уложенных в пазы сердечника якоря и присоединенных к коллектору. К обмотке якоря предъявляются ряд требований. Она должна обеспе­чить получение необходимой ЭДС, прохождения тока номинальной ве­личины и безыскровую работу щеточного контакта. При этом она долж­на иметь достаточную электрическую, термическую и механическую прочность, обеспечивать возможно меньший расход материалов, мак­симальное значение КПД.

Обмотка якоря состоит из отдельных элементов–секций. Секция – это часть обмотки, содержащая один или несколько витков и при­соединенная к двум коллекторным пластинам. Несколько секций скреп­ленных между собой для удобства укладки в пазы якоря образуют ка­тушку. Секции в виде катушек являются основным конструктивным эле­ментом при образовании якорной обмотки. Они укладываются в пазы в два слоя так чтобы левые стороны секций лежали в верхней части па­за, а правые – в нижней. Такая обмотка носит название двухслой­ной (рисунок 1.11).

Двухслойная обмотка якоря электродвигателя постоянного тока.

Рисунок 1.11

  Части секций, лежащие в пазу, называются активными сторонами секции, они находятся в магнитном поле главных полюсов и при вра­щении якоря в них индуктируется ЭДС. Части секции, находящиеся вне пазов, называются лобовыми частями. Они находятся вне основ­ного магнитного потока и ЭДС в них не индуктируется.

Верхняя сторона одной секции и нижняя сторона другой, уло­женные в одном пазу, образуют так называемый элементарный паз (обозначается zэ). В реальном пазу может располагаться нес­колько элементарных пазов, их число равно числу секций в катушке. На рисунке 1.12, а показан разрез элементарного паза и разрез паза (рисунок 1.12,б), который имеет Us=2 элементарных паза.

Разрез и размер элементарного паза для обмотки якоря электродвигателя постоянного тока

  Так как секция имеет два активные стороны, то каждой секции в обмотке соответствуют один элементарный паз. Концы секции присоединяются к коллекторным пластинам, при этом к каждой пластине присоединяют конец одной секции  и начало следующей, в результате чего все секции соединяются последовательно и на каждую секцию приходится одна коллекторная пластина (рисунок 1.13).

Схема соединения обмоток двигателя постоянного тока с коллектором.

Чтобы ЭДС, индуктируемые в активных сторонах секции, склады­вались и величина суммарной ЭДС секции при этом была наибольшей, необходимо секцию располагать в пазах сердечника так, чтобы шири­на ее была равна или незначительно отличалась от полюсного деления τ. При этом с секцией будет сцепляться полный поток полю­сов и ЭДС в ней будет достирать максимального значения. Для ха­рактеристики обмотки необходимо знать, как расположены в магнит­ном поле ее секции и как соединены они между собой. Это указыва­ется на развернутой схеме обмотки. На этой схеме цилиндрические поверхности якоря и коллектора, разрезанные вдоль оси машины в любом месте, развертывают на плоскость и представляют прямоуголь­никами. Диаметр коллектора условно принимается равным диаметру якоря. Пазы якоря и все соединения проводников изображают отрез­ками прямых линий. Секции для простоты изображаются всегда одновитковыми (Wc =1). Активные стороны секций, находящиеся в ниж­нем слое паза,

черчивают пунктиром. Для расчета, составлений схем и монтажа обмотки испопользуются понятия шагов обмотки. Рассто­яние между двумя активными сторонами секции, определяющие ее ши­рину (рисунок 1.14), называется первым частичным шагом обмотки y1. Расстояние между правой активной стороной секции и левой актив­ной стороной последующей секции называется вторичным частичным шагом обмотки y2.

Расстояние между двумя активными сторонами секции, определяющие ее ширину.

Рисунок 1.14

Расстояние между началами двух последова­тельно соединенных секций называется результирующим шагом обмотки y. Шаги y1, y2, y измеряются обычно числом элементар­ных пазов. Расстояние между коллекторными пластинами, к которым присоединяются начало и конец секции, измеренное числом коллек­торных пластин, называется шагом обмотки по коллектору yк. Так как начало следующей секции присоединяется к концу предыдущей, то yк равен числу коллекторных делений между началом одной сек­ции и началом следующей. По якорю это соответствует результирую­щему шагу y. Таким образом, ход обмотки по коллектору соот­ветствует ходу обмотки по якорю. Это обеспечивает выполнение симметричной обмотки и справедливо для всех типов обмотки якоря.

По внешнему очертанию контуров, образуемых последовательно соединенными секциями, различают петлевые, волновые и комбини­рованные.



теги:

Часто приходится бороться с паразитной емкостной или индуктивной связью между контурами или цепями радиоаппаратуры. Для уменьшения паразитной связи можно удалить друг от друга контуры или провода, но это приводит к увеличению размеров радиоаппаратуры. Гораздо лучше применять экранирование.

Экранированием называется защита одного контура от воздействия другого контура или одной цепи от влияния другой цепи с помощью металлических листов — экранов.

Экраны служат для устранения как индуктивной, так и емкостной связей. На низких частотах для устранения индуктивной связи применяют экраны из ферромагнитных материалов, например из листовой стали толщиной 0,5—1,5 мм. В этом случае используется способность стали втягивать в себя магнитные силовые линии. Благодаря ее высокой магнитной проницаемости силовые линии замыкаются в экране и не выходят за его пределы.

На высоких частотах лучшее экранирование магнитных полей дают экраны из диамагнитных, хорошо проводящих металлов (чаще всего применяется алюминий толщиной 0,3—1 мм). Действие таких экранов заключается в том, что магнитный поток катушки индуцирует в экране токи, которые по закону Ленца создают свой магнитный поток противоположного направления, почти полностью компенсирующий основной магнитный поток за пределами экрана. Чтобы потери на создание в экране токов не были велики, не следует располагать экраны слишком близко к катушкам. Желательно, чтобы диаметр и длина экранирующего чехла были соответственно не меньше удвоенных диаметра и длины намотки катушки. Тогда качество контура почти не ухудшится. Следует иметь в виду, что экраны заметно уменьшают индуктивность катушек (на 10—20%).

Для устранения паразитной емкостной связи также используются экраны из хорошо проводящих материалов, соединяемые с корпусом радиоаппарата. Принцип их действия легко уяснить из (рис.1). Два контура L1C1 и L2C2 имеют паразитную емкостную связь, обозначенную конденсатором Ссв . Общий провод обоих контуров бывает обычно соединен с корпусом (землей). Если между обкладками 1 и 2, роль которых фактически выполняют провода или детали контуров, поместить экран и соединить его с корпусом, то ток от контура L1C1 будет проходить через емкость между обкладкой 1 и экраном и возвратится через общий провод в первичный контур, не попадая в контур L2C2.

Устранение паразитной ёмкостной связи. Экранирование контура
Рис.1 — Устранение поразитной емкосной связи с помощью экрана

На схеме экраны принято обозначать штриховыми линиями.

Применение экранирования для устранения паразитной емкостной связи между индуктивно связанными контурами
Рис.2 — Применение экрана для устранения паразитной емкостной связи между индуктивно-связанными контурами

Иногда бывает необходимо устранить паразитную емкостную СВЯЗЬ между двумя катушками, чтобы связь между контурами была чисто индуктивной. Сплошной металлический экран в этом случае непригоден, так как он уничтожит индуктивную связь. Для устранения только емкостной связи применяют электростатический экран в виде сетки из проволочек, соединенных друг с другом и с землей только одним концом. В таком экране не возникают индуктированные токи, так как для них нет замкнутых цепей. На (рис.2) показаны схематическое обозначение подобного экрана и принцип одной из его конструкций.

теги:


Колебательные контуры в приемниках и передатчиках в большинстве случаев делаются на диапазон частот и отличаются друг от друга способами изменения частоты, т.е. способами настройки на разные частоты. Наиболее распространен контур с постоянной индуктивностью и переменной емкостью, показанный в ряде предыдущих схем. Другой тип контура с постоянной емкостью и переменной индуктивностью в виде вариометра показан на (рис.1 а) (подробнее о вариометрах см. ниже).

Перестройка колебательного контура. Способ перестройки контура по частоте.

 

Рис.1 — Типы контуров на диапазон частот

Однако такие контуры могут дать изменение частоты или длины волны не более чем в два-три раза.

Для .расширения диапазона прибегают к изменению емкости и индуктивности (рис.1 б и в). У контура (рис.1 б) грубое изменение частоты (скачками) производится изменением числа витков катушки с помощью переключателя П, а точная настройка на необходимую частоту осуществляется конденсатором переменной емкости. Контур (рис.1 в) имеет отдельные катушки на каждый поддиапазон, т.е. на каждую часть диапазона.

Недостаток контура с отводами от катушки заключается в том, что неработающая часть витков, замкнутая переключателем П, связана с рабочей частью катушки и поглощает часть энергии из контура, ухудшая его качество. Если же оставить неработающую часть катушки разомкнутой, то она, имея собственную емкость, образует паразитный контур, настроенный на некоторую частоту, и на этой частоте сильно отсасывает энергию из рабочего контура. В контуре с отдельными катушками это можно устранить, поместив каждую катушку в отдельный экран.

Помимо рассмотренных контуров встречаются и другие. Например, иногда для перехода с одного под диапазона на другой переключают конденсаторы различной емкости.



теги:
Стр. 2 из 9123456789


radionet